IGBT/SiC MOS三代半功率器件靜態(tài)測(cè)試機(jī)主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試夾具、工控機(jī)、上位機(jī)軟件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開(kāi)發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。

IGBT/SiC MOS三代半功率器件靜態(tài)測(cè)試機(jī)測(cè)試項(xiàng)目

二極管：反向擊穿電壓V_R、反向漏電流I_R、正向電壓V_F、 正向電流I_F、電容值C_d、I-V曲線、C-V曲線

三極管：V_(BR)CEO、V_(BR)CBO、V_(BR)EBO、I_CBO、V_CE(sat)、VBE(sat)、I_C、I_B、C_eb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V_(BR)DSS/V_(BR)CES、I_DSS/I_CES、V_CE(sat)、R_DS(on)、V_SD/V_F、V_GS(th)/、V_GE(th)、I_GSS/I_GES柵極內(nèi)阻R_g、輸入電容C_iss/C_ies、輸出電容、C_oss/C_oes、反向傳輸電容C_rss/C_res、跨導(dǎo)g_fs、輸出特性曲線、 轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線

光耦(四端口以下)：I_F、V_F、V_(BR)CEO、V_CE(sat)、I_CEO、I_R、輸入電容C_T、輸出電容C_CE、 電流傳輸比C_TR、隔離電容C_IO