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武漢普賽斯儀表有限公司
產(chǎn)品型號PMST3510
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地武漢市
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更新時(shí)間:2025-05-23 13:51:25瀏覽次數(shù):40次
聯(lián)系我時(shí),請告知來自 泵閥商務(wù)網(wǎng)武漢普賽斯儀表半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試儀內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試,可測試低至皮安級漏電流;集電極-發(fā)射極,蕞大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;蕞高支持3500V電壓輸出,蕞高擴(kuò)展到12kV,且自帶漏電流測量功能
系統(tǒng)特點(diǎn)
高電壓:支持高達(dá)3.5KV高電壓測試(蕞大擴(kuò)展至12kV);
大電流:支持高達(dá)6KA大電流測試(多模塊并聯(lián));
高精度:支持uΩ級導(dǎo)通電阻、納安級漏電流測試;
模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化配置,可添加或升級測量單元;
測試效率高:可自動(dòng)切換、一鍵測試;
溫度范圍廣:支持常溫、高溫測試;
兼容多種封裝:根據(jù)測試需求可定制夾具;
系統(tǒng)參數(shù)
項(xiàng)目 | 參數(shù) | |
集電極-發(fā)射極 | 蕞大電壓 | 3500V(可拓展至12KV) |
蕞大電流 | 1000A(可拓展至6000A) | |
準(zhǔn)確度 | ±0.1% | |
大電壓上升沿 | 典型值5ms | |
大電流上升沿 | 典型值15μs | |
大電流脈寬 | 50μs~500μs | |
漏電流測試量程 | 1nA~100mA | |
柵極-發(fā)射極 | 蕞大電壓 | 300V |
蕞大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | |
準(zhǔn)確度 | ±0.05% | |
最小電壓分辨率 | 30μV | |
最小電流分辨率 | 10pA | |
電容測試 | 典型精度 | ±0.5% |
頻率范圍 | 10Hz~1MHz | |
電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F | |
溫控 | 范圍 | 25℃~200℃ |
準(zhǔn)確度 | ±2℃ |
測試項(xiàng)目
二極管:反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線
三極管:V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE,輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT:V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內(nèi)阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導(dǎo)gfs、輸出特性曲線、 轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線
光耦(四端口以下):IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO
測試夾具
針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供整套測試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測試。
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主營產(chǎn)品:數(shù)字源表,脈沖源表,插卡式源表,脈沖恒流源,高壓程控電源,功率器件測試系統(tǒng),半導(dǎo)體參數(shù)分析儀,電流傳感器測試系統(tǒng),大功率激光器老化測試系統(tǒng)
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