半導體功率動態(tài)參數(shù)測試設備

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參考價: ￥ 1000

訂貨量: ≥1 臺

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號PMDT2003

品牌其他品牌

廠商性質生產(chǎn)商

所在地武漢市

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聯(lián)系方式：陶女士查看聯(lián)系方式

更新時間：2025-05-23 13:43:33瀏覽次數(shù)：45次

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武漢普賽斯儀表有限公司

經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：40條

所在地區(qū)：湖北武漢市

聯(lián)系人：陶女士（市場專員）

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產(chǎn)品簡介

武漢普賽斯儀表半導體功率動態(tài)參數(shù)測試設備覆蓋開關參數(shù)測試、柵極電荷測試、短路測試、雪崩測試等，單次測試即可完成開關特性及反向恢復特性測試；具備數(shù)據(jù)管理功能，可實時保存測試結果及波形曲線，自動生成測試報告

詳細介紹

半導體功率動態(tài)參數(shù)測試設備特點

高電壓達2000V（蕞大擴展至8kV）

大電流達2000A（可擴展至6000A）

低寄生電感設計：＜20nH寄生電感

安全防護機制：集成防爆、過流/過壓保護

全功能測試覆蓋：支持DPT、RBSOA、 SCSOA、Qg等參數(shù)

自動化與智能化，負載電感自動切換

溫度范圍廣：可選高溫模塊(常溫-200℃)或熱流儀(-40℃-200℃)

兼容多種封裝，可根據(jù)測試需求定制夾具

測試參數(shù)

開通特性：開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs vs.t、Ig vs.t

關斷特性：關斷延時時間td(off)、關斷上升時間tf、關斷時間toff、關斷能量損耗E(off)、關斷電壓斜率dv/dt、關斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs vs. t、Ig vs.t

反向恢復特性：反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr、反向恢復能量Err、蕞大反向恢復電流Irrm、反向恢復電壓斜率dv/dt、反向恢復電流斜率di/dt、反向恢復電流特性Id vs.t

短路特性：短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc

柵極電荷：總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs vs.t

反偏安全工作區(qū)：關斷電壓尖峰VCE—peak、關斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t

測試夾具

針對市面上不同封裝類型的功率半導體，如IGBT、SiC、MOS等產(chǎn)品，普賽斯提供整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測試

半導體功率動態(tài)參數(shù)測試設備

PMDT半導體功率動態(tài)參數(shù)測試設備是一款專用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的動態(tài)參數(shù)測試，能夠安全便捷的測試功率器件的開關延時和損耗，評估器件的安全工作區(qū)，對器件和驅動電路的短路保護特性進行驗證，測量功率組件的雜散電感。主要由雙脈沖信號發(fā)生器，高分辨率示波器，高壓電流探頭，高壓電源、母線電容、低雜感母排、自動化測試軟件以及配套測試工裝組成。系統(tǒng)配備多種測試驅動板，可覆蓋開關參數(shù)測試、柵極電荷測試、短路測試、雪崩測試等，單次測試即可完成開關特性及反向恢復特性測試；具備數(shù)據(jù)管理功能，可實時保存測試結果及波形曲線，自動生成測試報告