SKM200GB125D 品牌：賽米控又名西門康（SEMIKRON）
SKM200GB125D類型：可控硅/IGBT功率模塊/IGBT智能模塊
SKM200GB125D備注：全新*/圖片/維修技術(shù)參數(shù)
SKM200GB125D產(chǎn)地：德國進口
（作者：深圳市邁瑞斯科技有限公司）---有售
產(chǎn)品范圍包括芯片、半導(dǎo)體分立器件、IGBT、二極管和可控硅模塊、定制解決方案和集成電子功率單元系統(tǒng)。賽米控是二極管和可控硅半導(dǎo)體模塊市場的*，擁有30%的*。（資料來源：IMS Research, The WorldMarket for Power Semiconductor Discretes & Modules – 2011 Edition）。
更多資料-現(xiàn)貨-歡迎查閱
現(xiàn)貨庫存：
http://www.gsigbt。。ｃｏｍ/
提高運行溫度和功率循環(huán)能力
功率模塊中芯片與DCB之間焊層尺寸僅次于有銅底板模塊中DCB基板和底板之間的焊層尺寸。用燒結(jié)結(jié)合替代這些焊接層，能提高運行溫度及功率循環(huán)能力，而且能進一步改善芯片的散熱情況。
SKiNTER是賽米控2007年推出的功率模塊技術(shù)。它利用精細(xì)銀粉，在高壓及大約250°C溫度條件下燒結(jié)為低氣孔率的銀層。銀的熔點在962°C，銀層能極為穩(wěn)定地連接芯片與DCB表面。這個熔化溫度比錫銀焊接層的熔化溫度高四倍，正因為此，其功率循環(huán)能力提升二至三倍，而且高運行溫度下的燒結(jié)組件*可靠。如今標(biāo)準(zhǔn)的錫銀焊接由于熱應(yīng)力在溫度125°C就會老化。圖1用實例表示取得的進展：與燒結(jié)模塊相比，焊接模塊由于散熱性差，很早就會因焊接老化引起芯片溫度上升。芯片與DCB之間為燒結(jié)結(jié)合的模塊使用壽命更長。
專業(yè)功率IGBT模塊代理/批發(fā):.三菱、英飛凌、EUPEC、富士、東芝、三社、三墾、西門康、ST、IR,IXYS,日立等品牌
■ IGBT模塊、IGBT單管、IGBT驅(qū)動
● 英飛凌(EUPEC): IGBT功率模塊、單管IGBT、1單元、2單元、6單元(600V-6500V)
● 三 菱: IGBT模塊、PIM、焊機模塊(600V-2500V)
● 富 士: IGBT模塊、IPM、PIM(600V-3300V)
● 艾賽斯: 半橋、全橋、三相橋、整流橋(660V-1700V)
■ 瑞士LEM霍爾傳感器、電流傳感器、電壓傳感器；
●LF系列，LT系列，LA系列，LV系列，HASS系列，LTS(R)系列，HY系列，CT系列，LV100系；
SKKD260/16 SKKT250/12E
SKKD260/20H4 SKKT250/08E
SKKD380/08 SKKT172/18E
SKKD380/12 SKKT172/16E
SKKD380/16 SKKT172/14E
SKKD380/18 SKKT162/22EH4
SKKD380/20H4 SKKT162/20EH4
SKKD380/22H4 SKKT162/18E
SKKD701/12 SKKT162/16E
SKKD701/16 SKKT162/14E
SKKD701/18 SKKT162/12E
SKKD701/22H4 SKKT162/08E
SKKD75F12 SKKT132/22EH4
SKKE1200/18H4 SKKT132/20EH4
SKKE1200/22H4 SKKT132/18E
SKKE120F17 SKKT132/16E
SKKE162/08 SKKT132/14E
SKKE162/12 SKKT132/12E
SKKE162/14 SKKT132/08E
SKKE162/16 SKKT122/18E
SKKE162/18 SKKT122/16E
SKKE162/22H4TS SKKT122/12E
SKKE290F06 SKKT107B16E
SKKE301F12 SKKT107/16E
SKKE310F12 SKKT106B18E
SKKE330F17 SKKT106B16E
產(chǎn)品范圍包括芯片、半導(dǎo)體分立器件、IGBT、二極管和可控硅模塊、定制解決方案和集成電子功率單元系統(tǒng)。賽米控是二極管和可控硅半導(dǎo)體模塊市場的*，擁有30%的*。（資料來源：IMS Research, The WorldMarket for Power Semiconductor Discretes & Modules – 2011 Edition）。
SKM200GB125D賽米控是一家性的電力電子組件和系統(tǒng)制造商，產(chǎn)品主要集中在中等至大功率范圍（約2KW-10MW）。產(chǎn)品應(yīng)用范圍包括可調(diào)速的工業(yè)傳動裝置、自動化技術(shù)、焊接設(shè)備和電梯。其他應(yīng)用包括不間斷電源、可再生能源（風(fēng)能和太陽能）以及電動和混合動力交通工具（商務(wù)車、運輸工具、跑車、客車）。
SKM200GB125D,SKM200GB125D圖片/維修技術(shù)參數(shù)。
SKM200GB125D 品牌：賽米控又名西門康（SEMIKRON）
SKM200GB125D類型：可控硅/IGBT功率模塊/IGBT智能模塊
SKM200GB125D備注：全新*/圖片/維修技術(shù)參數(shù)
SKM200GB125D產(chǎn)地：德國進口
（作者：深圳市邁瑞斯科技有限公司）---有售
產(chǎn)品范圍包括芯片、半導(dǎo)體分立器件、IGBT、二極管和可控硅模塊、定制解決方案和集成電子功率單元系統(tǒng)。賽米控是二極管和可控硅半導(dǎo)體模塊市場的*，擁有30%的*。（資料來源：IMS Research, The WorldMarket for Power Semiconductor Discretes & Modules – 2011 Edition）。
更多資料-現(xiàn)貨-歡迎查閱
現(xiàn)貨庫存：
http://www.gsigbt。。ｃｏｍ/
提高運行溫度和功率循環(huán)能力
功率模塊中芯片與DCB之間焊層尺寸僅次于有銅底板模塊中DCB基板和底板之間的焊層尺寸。用燒結(jié)結(jié)合替代這些焊接層，能提高運行溫度及功率循環(huán)能力，而且能進一步改善芯片的散熱情況。
SKiNTER是賽米控2007年推出的功率模塊技術(shù)。它利用精細(xì)銀粉，在高壓及大約250°C溫度條件下燒結(jié)為低氣孔率的銀層。銀的熔點在962°C，銀層能極為穩(wěn)定地連接芯片與DCB表面。這個熔化溫度比錫銀焊接層的熔化溫度高四倍，正因為此，其功率循環(huán)能力提升二至三倍，而且高運行溫度下的燒結(jié)組件*可靠。如今標(biāo)準(zhǔn)的錫銀焊接由于熱應(yīng)力在溫度125°C就會老化。圖1用實例表示取得的進展：與燒結(jié)模塊相比，焊接模塊由于散熱性差，很早就會因焊接老化引起芯片溫度上升。芯片與DCB之間為燒結(jié)結(jié)合的模塊使用壽命更長。
專業(yè)功率IGBT模塊代理/批發(fā):.三菱、英飛凌、EUPEC、富士、東芝、三社、三墾、西門康、ST、IR,IXYS,日立等品牌
■ IGBT模塊、IGBT單管、IGBT驅(qū)動
● 英飛凌(EUPEC): IGBT功率模塊、單管IGBT、1單元、2單元、6單元(600V-6500V)
● 三 菱: IGBT模塊、PIM、焊機模塊(600V-2500V)
● 富 士: IGBT模塊、IPM、PIM(600V-3300V)
● 艾賽斯: 半橋、全橋、三相橋、整流橋(660V-1700V)
■ 瑞士LEM霍爾傳感器、電流傳感器、電壓傳感器；
●LF系列，LT系列，LA系列，LV系列，HASS系列，LTS(R)系列，HY系列，CT系列，LV100系；
SKKD260/16 SKKT250/12E
SKKD260/20H4 SKKT250/08E
SKKD380/08 SKKT172/18E
SKKD380/12 SKKT172/16E
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SKKD380/18 SKKT162/22EH4
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SKKE1200/18H4 SKKT132/20EH4
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產(chǎn)品范圍包括芯片、半導(dǎo)體分立器件、IGBT、二極管和可控硅模塊、定制解決方案和集成電子功率單元系統(tǒng)。賽米控是二極管和可控硅半導(dǎo)體模塊市場的*，擁有30%的*。（資料來源：IMS Research, The WorldMarket for Power Semiconductor Discretes & Modules – 2011 Edition）。
SKM200GB125D賽米控是一家性的電力電子組件和系統(tǒng)制造商，產(chǎn)品主要集中在中等至大功率范圍（約2KW-10MW）。產(chǎn)品應(yīng)用范圍包括可調(diào)速的工業(yè)傳動裝置、自動化技術(shù)、焊接設(shè)備和電梯。其他應(yīng)用包括不間斷電源、可再生能源（風(fēng)能和太陽能）以及電動和混合動力交通工具（商務(wù)車、運輸工具、跑車、客車）。
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